单词“闪存”现在是大家议论的焦点。 术语“闪存盘”，甚至一年级学生在谈话中经常被使用。 该技术以惊人的速度得到普及。 此外，许多分析师预测，在不久的将来闪存将取代基于磁盘的存储设备。 剩下的只有是观察开发进度和它的好处。 出人意料的是，许多人来说，讲这种新产品，几乎不知道这样的闪存。 在一方面，用户需要将设备的工作，以及它如何执行其职能 - 小事。 然而，至少有必要每一个受过教育的人有基本的了解。
什么是闪存？
如你所知，计算机有几种类型的存储设备：内存，硬盘和 光驱。 最后两个 - 这是机电解决方案。 但是RAM - 全电子设备。 是一个芯片上的晶体管的集合组装的专用芯片。 其特点在于，数据只要每个控制键的基极被通电存储的事实。 目前，我们以后仔细看看。 闪存是没有这个缺点。 没有外部电压使用浮栅晶体管解决电荷存储问题。 在这种装置中，没有外部影响的电荷可以保持足够长的时间（至少10岁）。 为了解释操作的原则，有必要回顾一下 电子产品的基本知识。
如何做一个晶体管？
这些元素已经变得如此广泛的应用，这是罕见的，不使用他们。 甚至陈腐 光开关 有时被设定的被驱动的密钥。 经典的晶体管是如何安排？ 它基于两个半导体材料，其中一个具有电子导电性（n），并且另一个孔（P）。 为了获得简单的晶体管，有必要结合材料，如NPN和每个块插头电极。 在一个极端电极（发射极）电压被施加。 它们可通过改变电位的大小上的平均输出（碱）来控制。 去除发生在集电极 - 第三极的接触。 很明显，与基极电压的消失将回到中性状态。 但是，随着浮置栅极下面的fleshek稍微不同的晶体管器件：该半导体基体材料的前放置的电介质的薄层和浮栅 - 它们一起形成一个所谓的“口袋”。 当施加正电压至该晶体管的基极，以通过使对应的电流到逻辑零被打开。 但是，如果门把一个单一的电荷（电子），其中和场潜力数据库的影响-该装置会拒绝关闭（逻辑单元）。 通过测量发射极和集电极可以确定在浮置栅极上的电荷的存在（或不存在）之间的电压。 通过使用将在栅极上的电荷的隧道效应 （ -诺德海姆福勒）。 为了移除需要使高电荷（9）的负电压和正基极到发射。 充电将离开门。 由于该技术是不断地发展，已经提出本实施例，并与浮置栅极的常规晶体管相结合。 这允许“擦除”电荷的低电压，并产生一更紧凑的设备（不需要隔离）。 USB闪存利用这一原理（NAND结构）。
因此，通过这些晶体管中的块组合，有可能产生其中所记录的数据不加改变地保留理论上几十年来的存储器。 也许现代闪存驱动器的唯一缺点 - 写周期的限制数量。